Углубленные разработки в области создания нового стандарта оперативной памяти MRAM начали японские и американские ученые. Основным преимуществом магниторезистивной памяти является ее энергоэффективность, а отличие от используемого в настоящее время стандарта DRAM, заключается в том, что в новом стандарте будут использоваться не электрические заряды, а магнитные моменты, которые помимо снижения энергопотребления увеличивают производительность памяти в десятки раз.
Ориентировочное промышленное производство оперативной памяти нового стандарта стартует в 2018 году.